占地面積190畝，項(xiàng)目投資20億元，合盛硅業(yè)布局新賽道
信息來源：http://www.innetdns.com/ 發(fā)布時(shí)間：2023-11-28
南陽(yáng)空壓機(jī)租賃公司億思達(dá)了解到，2023年11月10日，合盛硅業(yè)成立內(nèi)蒙古賽盛新材料有限公司，其年產(chǎn)800噸電子級(jí)碳化硅顆粒材料及60萬(wàn)片碳化硅切割片項(xiàng)目在內(nèi)蒙古呼和浩特發(fā)改委備案。新建生產(chǎn)廠房3幢及配電房、空壓站、庫(kù)房等，占地面積約190畝，項(xiàng)目投資額約20億元，均為自有資金，計(jì)劃建設(shè)起止年限為2023年11月至2025年11月。
基于產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢(shì)，合盛硅業(yè)進(jìn)一步拓展硅基新材料的布局：公司已掌握碳化硅材料的原料合成、晶體生長(zhǎng)、襯底加工以及晶片外延等全產(chǎn)業(yè)鏈核心工藝技術(shù)，突破了關(guān)鍵材料(多孔石墨、涂層材料)和裝備的技術(shù)壁壘。
2023年5月公告，合盛硅業(yè)子公司合盛新材2萬(wàn)片寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅襯底及外延片產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線項(xiàng)目已通過驗(yàn)收，并具備量產(chǎn)能力，6英寸晶體良率達(dá)到90%，外延片良率達(dá)到95%;產(chǎn)品得到市場(chǎng)的積極反饋，合盛新材的6英寸襯底和外延片已得到國(guó)內(nèi)多家下游器件客戶的驗(yàn)證，并順利開發(fā)了日韓、歐美客戶，同時(shí)合盛新材8英寸襯底研發(fā)順利，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。
第三代半導(dǎo)體的明日之星——SiC
SiC作為目前發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，可謂是近年來最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下，碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等節(jié)能減碳行業(yè)，萬(wàn)眾矚目。
相比于第一代和第二代半導(dǎo)體材料，SiC具有一系列優(yōu)良的物理化學(xué)特性，除了禁帶寬度，還具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度和高遷移率等特點(diǎn)。SiC器件在低功耗、小型化和高頻的應(yīng)用場(chǎng)景中具有極大的優(yōu)勢(shì)。
新能源汽車800V平臺(tái)架構(gòu)成為高壓快充的重要解決方案，在800V甚至更高水平的平臺(tái)上，高壓快充下硅基IGBT芯片材料達(dá)到極限，而具備耐高壓、耐高溫、高頻等優(yōu)勢(shì)的SiC器件為最佳解決方案。隨著下游SiC車用滲透率不斷提升&單車用量提升，預(yù)計(jì)到2025年6寸碳化硅襯底新增市場(chǎng)空間約380億元，2023-2025年復(fù)合年均增長(zhǎng)率(CAGR)為78%。
目前碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)美國(guó)企業(yè)全球獨(dú)大的格局，提高碳化硅襯底材料的國(guó)產(chǎn)化率、實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代是我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)亟需突破的產(chǎn)業(yè)瓶頸，合盛硅業(yè)研發(fā)成功后，可以進(jìn)一步推動(dòng)碳化硅工藝技術(shù)進(jìn)步，實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代，保障第三代半導(dǎo)體材料的可持續(xù)發(fā)展。
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